电感耦合等离子体CVD室温制备的硅薄膜的结构研究

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电感耦合等离子体CVD室温制备的硅薄膜的结构研究

王晓强;陈强;栗军帅;杨定宇;贺德衍

【期刊名称】《真空科学与技术学报》 【年(卷),期】2004(24)6

【摘 要】用内置式单圈电感耦合等离子体化学气相沉积 (ICP CVD)方法在室温下制备Si薄膜。用傅里叶红外吸收光谱、喇曼光谱、原子力显微镜和分光椭圆偏振谱等测量分析表明 ,即使在室温下用ICP CVD也获得了有纳米结晶相的Si薄膜 ,样品结构与源气体SiH4浓度密切相关。实验结果预示着在高电子密度的ICP CVD过程中 ,活性原子集团的形成以及薄膜的生长机理与传统的等离子体CVD过程不同。

【总页数】4页(P465-468)

【关键词】CVD;电感耦合等离子体;子集;硅薄膜;原子;结构研究;喇曼光谱;室温;分光;ICP

【作 者】王晓强;陈强;栗军帅;杨定宇;贺德衍 【作者单位】兰州大学物理系 【正文语种】中 文

【中图分类】TB383;TN304 【相关文献】

1.H2对Ar稀释SiH4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响 [J], 祁菁;金晶;胡海龙;高平奇;袁保和;贺德衍


2.电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化 [J], 王晓强;栗军帅;陈强;祁菁;尹旻;贺德衍

3.等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究(英文) [J], 陈永生;杨仕娥;卢景霄;郜小勇;张宇翔;王海燕;李瑞

4.基于温和等离子体CVD的非晶硅薄膜的制备与钝化研究 [J], 刘晶晶;姚尧;朱月岭;戴伟;肖少庆;顾晓峰

5.电感耦合等离子体CVD制备Si薄膜的研究 [J], 杨定宇;蒋孟衡;贺德衍

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